IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣(yuan)柵雙極型晶體管），它(ta)是由(you)BJT（雙極型三極管）和(he)MOS（絕緣(yuan)柵型場效應管）組(zu)成的復合全(quan)控型電壓驅動式功(gong)率半導體器件。

目前(qian)市面(mian)上大(da)多(duo)數(shu)IGBT驅(qu)動板都沒有設計過熱保(bao)護，只是(shi)在靠近IGBT模塊的散(san)熱器(qi)上安(an)裝一(yi)個溫度傳(chuan)感(gan)器(qi)，把溫度信號采(cai)集到處理器(qi)中，通過采(cai)樣值算出(chu)散(san)熱器(qi)表面溫度來估(gu)算IGBT內部的(de)溫(wen)度；用這(zhe)種(zhong)方(fang)法(fa)所(suo)測出來的(de)溫(wen)度不是(shi)很可靠，溫(wen)度傳(chuan)感器在(zai)散熱(re)器上(shang)的(de)安裝位置(zhi)、熱(re)阻等因素對采(cai)樣(yang)值影(ying)響很大。

現(xian)在很多IGBT廠商都會在IGBT模塊內部封裝一(yi)個(ge)NTC熱敏電阻，用它來測量模塊(kuai)的殼體溫度(du)不但精度(du)很高，而且很(hen)準(zhun)確，不受安裝位置(zhi)等因素的影響(xiang)。廣東愛(ai)晟電子科(ke)技(ji)有限公司(si)研發、生(sheng)產(chan)的(de)NTC熱敏電阻具有高(gao)精(jing)度、高(gao)靈(ling)敏(min)、高(gao)可靠(kao)的特點，能更好地進行IGBT模塊內部的(de)檢測。這次，我們會介紹一種(zhong)基于光纖的IGBT溫度檢測方法，以檢測IGBT的工(gong)作溫度。

如(ru)上圖所示(shi)，此IGBT溫度檢測(ce)方(fang)法包括(kuo)以(yi)下步驟：

第五(wu)步、控制單元先(xian)檢測(ce)該頻(pin)率(lv)信(xin)號(hao)的頻(pin)率(lv)，再計算出(chu)IGBT溫度，檢測結束(shu)。

這(zhe)個測量方法采用光纖(xian)傳輸信號，抗電磁干擾能力強，很適合(he)應用在(zai)電磁干擾要求較高的場合(he)；通過采集(ji)NTC熱敏電阻的電壓來(lai)檢測(ce)IGBT溫(wen)度，起到(dao)實時(shi)監控作用，避免IGBT過熱(re)燒毀；整個(ge)方法步驟精簡，所(suo)用硬件成本(ben)較(jiao)低，能顯著降(jiang)低應用成本(ben)。