根據《NTC熱(re)敏電阻(zu)改善光模(mo)塊跟蹤誤差(cha)不良的(de)電路-2》，通過以下示例加(jia)以說(shuo)明(ming)：

圖中光模塊，包括發(fa)送通道的光發(fa)射組(zu)件TOSA、用于驅動(dong)TOSA中的激光(guang)器(qi)的驅動(dong)器(qi)，以及接(jie)收(shou)通道的依次連接(jie)的光(guang)接(jie)收(shou)組件(jian)ROSA和(he)限(xian)幅(fu)放大器(qi)。結合(he)參看圖1，驅動器(qi)包括(kuo)激(ji)光(guang)(guang)器(qi)驅動芯片，激(ji)光(guang)(guang)器(qi)驅動芯片連接TOSA中的激(ji)光(guang)(guang)器(qi)，激(ji)光(guang)(guang)器(qi)驅動芯片連接光(guang)(guang)功(gong)率第一(yi)電阻，光(guang)(guang)功(gong)率第一(yi)電阻為NTC熱敏電阻(zu)R_NTC。NTC熱敏電阻R_NTC在常溫25度(du)時阻值為50KΩ，高溫(wen)90度時阻值為8KΩ，NTC熱敏電阻R_NTC的阻值隨(sui)溫度升高(gao)而逐漸降低。

NTC熱敏電阻R_NTC安(an)裝在激光器驅動芯片的外圍電路中。對(dui)于一般的(de)激光器(qi)驅動芯片,外圍電路(lu)是(shi)一(yi)定(ding)存在(zai)的，電阻R為激(ji)光器驅動芯片內部電阻，由(you)激(ji)光器驅動芯片內部結(jie)構決定(ding)。該電路(lu)還包括(kuo)光功率(lv)第二電阻R₂，光功(gong)率(lv)第二電阻R₂和光(guang)功率第一電阻R_NTC并聯一起(qi)組成激光器驅(qu)動芯片的外(wai)圍光功率電阻R，其中R、R_NTC和R₂滿(man)足(zu)以下關系式：

電(dian)阻R₂與電阻R_NTC一起組成了激光器驅動芯片的(de)外圍光功(gong)率(lv)電(dian)阻R，激光器驅動芯片輸出加(jia)入(ru)到激光器的偏置電(dian)流I_BIAS與電阻R的(de)關系如下式所示：

這(zhe)里選用的NTC熱敏電阻(zu)隨溫度升高(gao)而阻值降低，在高(gao)溫時，激光器驅動(dong)芯片的偏置(zhi)電流I_BIAS會增大進(jin)而適當提高激(ji)光(guang)器輸出光(guang)功(gong)率值。

上圖(tu)是在維持光功率不(bu)變的情況(kuang)下(xia)，對比測試現(xian)有光模(mo)塊與采用(yong)本方法后的(de)(de)光模(mo)塊的(de)(de)偏(pian)置電流示意圖。其中，90℃IM曲線(xian)表示激光器在高溫(90℃)情況下,維持正常(chang)光功率需要(yao)的偏置電流BIAS；Im@ith+20mA|90曲(qu)線是高溫(90℃)情況下,實際測得的光功率偏(pian)置電(dian)流(liu)BIAS；bias after NTC added曲線表示(shi)加(jia)入(ru)NTC熱敏(min)電阻以后,在高溫(90℃)情況下實(shi)際測試得到的光(guang)功率偏置電流BIAS。由(you)此可(ke)以看出，Im@ith+20mA|90曲線(xian)與90℃IM曲線(xian)相差(cha)較大,而bias after NTC added曲線(xian)與90℃IM曲線(xian)更(geng)加(jia)一(yi)致,體現(xian)了加(jia)入NTC熱(re)敏電(dian)阻(zu)可以有(you)改善光(guang)模塊跟蹤(zong)誤差(cha)不良現象(xiang)。由于(yu)增加(jia)了NTC熱敏電阻，從而使由(you)于(yu)TE不良(liang)而光功率變(bian)小的光模塊輸出光功率基本恢復到正常(chang)光功率范圍，避免了TOSA或BOSA器件的浪費，節省(sheng)生產成本。