IGBT作為目前主(zhu)流的(de)半導體功率器件(jian)，被(bei)廣泛應(ying)用(yong)(yong)于新(xin)能(neng)源汽車、航天航空、可再(zai)生能(neng)源等領域。在實(shi)際應(ying)用(yong)(yong)中，IGBT模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)的(de)工作環境幾乎都(dou)處于高溫狀(zhuang)態(tai)，因此(ci)大部分模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)都(dou)會(hui)采用(yong)(yong)NTC進(jin)行溫度保護及溫度監(jian)測，以防過溫導致IGBT模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)的(de)失效。

考慮到IGBT模塊長時間且高溫的工(gong)作(zuo)(zuo)環(huan)境，一般選取MELF貼(tie)片(pian)玻封NTC熱(re)敏(min)(min)電阻（工(gong)作(zuo)(zuo)溫度范圍：-40℃~250℃），以(yi)保證IGBT內(nei)部結溫監測工(gong)作(zuo)(zuo)的順利開(kai)展。除(chu)此之外，在IGBT模塊中應用MELF貼(tie)片(pian)玻封NTC熱(re)敏(min)(min)電阻還有以(yi)下優點：

一、IGBT模塊內(nei)部(bu)布局較(jiao)緊湊，無引(yin)線結(jie)構能更好(hao)地配合IGBT內(nei)部(bu)其它元器件的安裝(zhuang)；

二、片(pian)式結(jie)構(gou)使盡可能(neng)地(di)靠(kao)近被測器件，可確保測溫過程的高精準(zhun)度；

三、玻璃封裝的(de)(de)防潮性能相較于其它封裝方式更好，在IGBT高溫(wen)高濕的(de)(de)工(gong)作環境也能發(fa)揮(hui)熱敏電阻(zu)優(you)良的(de)(de)負溫(wen)度特性。

隨著功率器件(jian)研發技(ji)(ji)術(shu)的(de)日趨成(cheng)熟以(yi)及應(ying)用場景(jing)的(de)不斷拓寬(kuan)，比IGBT模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)技(ji)(ji)術(shu)性能(neng)更優(you)越(yue)的(de)SiC碳化(hua)(hua)硅模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)應(ying)運而生。SiC碳化(hua)(hua)硅模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)之(zhi)所以(yi)比IGBT模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)更受青睞，是因為其開關頻(pin)率更高、開關損耗更低、熱力性能(neng)更好，顯著提升的(de)產(chan)品應(ying)用的(de)工作效率。為配合制(zhi)造廠商(shang)進行模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)更新換代，廣東愛晟(sheng)電(dian)(dian)子科技(ji)(ji)有(you)限公司(si)推(tui)出了自(zi)主研發的(de)新產(chan)品——門極電(dian)(dian)阻。其分為垂直式(shi)以(yi)及水平式(shi)，可實現垂直導(dao)通(tong)(tong)和水平導(dao)通(tong)(tong)兩種結(jie)構(gou)，相(xiang)較于MELF貼(tie)片(pian)玻封熱敏電(dian)(dian)阻，安裝位置的(de)選擇更靈活。固定電(dian)(dian)阻還擁有(you)良好的(de)穩(wen)定性，使SiC碳化(hua)(hua)硅模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)中的(de)實時結(jie)溫數(shu)據獲取過程能(neng)更平穩(wen)。