隨著半導體技術的持續創新及進步，NTC熱(re)敏芯片鍵合工藝也不斷發展。目前，芯片鍵合工藝為順應行業發展需求，正逐步往高度集成、低功耗、高可靠的方向前進。為了讓大家更充分地了解NTC芯片鍵合工藝,廣東愛晟電子科技有限公司為大家介紹一些熱敏芯片鍵合工藝：

一、回流焊

該焊(han)(han)接(jie)(jie)工(gong)藝的(de)焊(han)(han)料一(yi)般為錫(xi)(xi)(xi)膏或錫(xi)(xi)(xi)片(pian)(pian)，主要通過回流溫(wen)度曲線(xian)使焊(han)(han)料熔接(jie)(jie)NTC熱敏芯片(pian)(pian)和基板。一(yi)般地，錫(xi)(xi)(xi)膏及錫(xi)(xi)(xi)片(pian)(pian)都含有助(zhu)焊(han)(han)劑，也(ye)有客戶會根據實(shi)際情況額外涂覆(fu)助(zhu)焊(han)(han)劑幫助(zhu)焊(han)(han)接(jie)(jie)。回流焊(han)(han)工(gong)藝既(ji)可在(zai)(zai)(zai)空氣(qi)中(zhong)焊(han)(han)接(jie)(jie)，也(ye)可在(zai)(zai)(zai)氮氣(qi)中(zhong)焊(han)(han)接(jie)(jie)，甚至還有在(zai)(zai)(zai)還原(yuan)氣(qi)氛（如氫氣(qi)、甲(jia)酸(suan)等）中(zhong)焊(han)(han)接(jie)(jie)。因NTC芯片(pian)(pian)包含陶(tao)瓷體在(zai)(zai)(zai)內的(de)部(bu)分組成為氧化物，因此(ci)在(zai)(zai)(zai)還原(yuan)氣(qi)氛中(zhong)焊(han)(han)接(jie)(jie)需要注意起(qi)對NTC芯片(pian)(pian)的(de)損(sun)傷程度。

回(hui)流焊工藝生產效率高(gao)、工藝簡單，被(bei)廣泛使用(yong)(yong)于電(dian)子集成行(xing)業。尤(you)其是IGBT行(xing)業，其目前(qian)仍是主(zhu)流的(de)芯片(pian)鍵合工藝。不同的(de)客(ke)戶其回(hui)流焊工藝亦有所(suo)不同，但總體(ti)還是分為預熱—焊接—冷(leng)卻三個階段。使用(yong)(yong)回(hui)流焊工藝，需注意以下幾點(dian)：

1、回流焊焊接時間過長容易導致NTC熱敏芯片的電極析出（吃銀），其不良表現為電阻值增大；

2、回流溫度(du)曲線(xian)的溫度(du)上升(sheng)/下降速率過快時，所形成的較強溫度(du)沖擊會(hui)導致熱敏芯片(pian)開(kai)裂(lie)，其(qi)不良表現為(wei)電(dian)阻值增大；

3、錫膏或錫片過(guo)多會導致(zhi)NTC芯片側面形成旁路，其不良表現(xian)為電(dian)阻值(zhi)減小。

二、銀膠/銀膏固化

該焊接(jie)工(gong)(gong)藝主要(yao)通過導(dao)電(dian)銀膠(jiao)/銀膏內部(bu)的(de)兩個主要(yao)組成(cheng)部(bu)分——導(dao)電(dian)填(tian)料（導(dao)電(dian)粒(li)子）及(ji)基(ji)(ji)體樹脂的(de)相互(hu)結合(he)，從而(er)形成(cheng)導(dao)電(dian)通路以實現NTC熱敏芯片(pian)與基(ji)(ji)板的(de)導(dao)電(dian)連接(jie)。因導(dao)電(dian)銀膠(jiao)/銀膏主要(yao)依靠內部(bu)基(ji)(ji)體樹脂進行固(gu)化，故其固(gu)化溫度(du)(du)不會過高，常(chang)見(jian)的(de)溫度(du)(du)為100℃、150℃。使用銀膠(jiao)/銀膏固(gu)化工(gong)(gong)藝，需注意(yi)以下幾點：

1、導電銀(yin)膠(jiao)/銀(yin)膏(gao)溢出過(guo)多(duo)，沾(zhan)到熱敏(min)芯片的側面(mian)陶瓷體會導致電阻值(zhi)減小(xiao)；

2、導(dao)電銀膠/銀膏(gao)中的環氧(yang)樹脂屬于高(gao)分子(zi)材料，高(gao)溫會讓其變性并劣化NTC芯(xin)片(pian)，導(dao)致電阻(zu)值漂移增(zeng)大(da)。

三、銀燒(shao)結

該焊接工藝主要是將銀顆粒制成納米級別并加壓，使其在較低溫度中燒結成為高導電性的固體。要保證燒結致密性，需一定的溫度及壓強，一般壓強為15~20MPa，溫度一般為250~300℃，而燒結氣氛多為真空或氮氣。因銀燒結需施加較大壓力，因此對于NTC熱敏芯片的平整度要求、抗壓能力要求較高。