由NTC熱敏電阻芯片作為核(he)(he)心,采取不同封裝形式構成的(de)(de)(de)熱(re)敏電阻(zu)被廣泛應用于溫(wen)度(du)探測、溫(wen)度(du)補償和(he)溫(wen)度(du)控(kong)制電路，其在電路中起到將(jiang)溫(wen)度(du)的(de)(de)(de)變量(liang)轉(zhuan)化成所需(xu)的(de)(de)(de)電子信號的(de)(de)(de)核(he)(he)心作用。由于電子設備高精度(du)溫(wen)度(du)探測、溫(wen)度(du)控(kong)制的(de)(de)(de)需(xu)要，對NTC熱(re)敏電阻(zu)的(de)(de)(de)R電阻(zu)值(zhi)、B值(zhi)的(de)(de)(de)精度(du)和(he)穩(wen)定性提(ti)出了越(yue)來(lai)越(yue)高的(de)(de)(de)要求。

現有的NTC熱敏電阻芯片一(yi)般采(cai)用以下工藝(yi)流(liu)程進(jin)行生產：熱敏半導(dao)體陶(tao)瓷粉末制(zhi)備——單個成型(xing)——燒(shao)結——燒(shao)滲電極——電阻率(lv)測試。該工(gong)藝過程是直(zhi)接由熱敏半(ban)導(dao)體(ti)陶(tao)瓷粉(fen)末直(zhi)接制成單(dan)個(ge)的NTC熱敏電阻芯片，并在熱敏電阻的兩端部燒滲端電極(ji)。

該工藝(yi)技(ji)術在陶瓷粉料配方已經(jing)確定的(de)情況下，單個NTC熱敏電阻芯片的(de)電(dian)性能取決(jue)于產品(pin)的(de)幾(ji)何尺寸和(he)燒結(jie)工(gong)藝(yi)對電(dian)性能影(ying)響。由于半(ban)導體陶瓷材料受燒結(jie)工(gong)藝(yi)參數的(de)燒結(jie)溫度、爐腔氣氛(fen)等條(tiao)件影(ying)響較大，使得現有的(de)NTC熱敏電阻芯片制造工(gong)藝技術存在了兩個明顯(xian)的(de)不足(zu)： 

一、阻值精(jing)度低。現有技術制成的產(chan)品電氣性能定型于燒(shao)結工藝，燒(shao)結、燒(shao)滲(shen)電極后的阻值分散且(qie)不能調節，批(pi)量生產(chan)中R25阻值精度一般在±5％內(nei)、B值(NTC熱敏電阻的材料常(chang)數)在±3％內，無法滿(man)足高精度要(yao)求(qiu)。 

二、穩(wen)定性差。制成(cheng)后(hou)的NTC熱敏電阻芯片的兩電(dian)極間(jian)的半(ban)導體(ti)陶瓷體(ti)裸露，在(zai)(zai)潮(chao)氣(qi)(qi)、鹽霧、空氣(qi)(qi)氧化、腐(fu)蝕性氣(qi)(qi)體等惡劣環境中很容易造成(cheng)半(ban)導體陶瓷和金屬電極間的老化，從(cong)而形成(cheng)電氣(qi)(qi)性能(neng)的漂移(yi)。電性能(neng)在(zai)(zai)高(gao)溫(wen)老化1000小時后漂(piao)移(yi)量達到3％，這遠(yuan)遠(yuan)超(chao)出高精度(du)測溫應(ying)用(yong)場合中(zhong)要求的R電(dian)阻值(zhi)及(ji)B值(zhi)0.3％的精度要求。 

現(xian)提供一種高精度NTC熱敏電阻芯片制作方法(fa)，能較(jiao)好地(di)實現(xian)高精度，擁有高(gao)可靠(kao)性。使用(yong)此方法(fa)生產的NTC熱敏電阻芯片，高精度產品(±0.5％)的命中率會(hui)有非(fei)常(chang)大(da)的(de)提高，產品的(de)穩態濕熱(re)性，高溫(wen)負荷變化(hua)率(lv)及熱沖擊變化(hua)率(lv)小。