NTC熱敏(min)電阻是IGBT結溫(wen)功(gong)率電子器(qi)件里最重要的(de)參數(shu)之一，器(qi)件在運行中(zhong)測量此溫(wen)度是非常困難的(de)，為此只有一個方法，就是通過使用(yong)IGBT模(mo)塊(kuai)內部的(de)NTC(熱敏(min)電阻)近似估計芯片(pian)穩定工(gong)作狀(zhuang)態的(de)溫(wen)度，此方法不適用(yong)與測量快速(su)變化的(de)IGBT溫(wen)度。

芯片(pian)溫(wen)(wen)度可(ke)以(yi)通(tong)過建立一個熱模(mo)型及(ji)測量NTC熱敏電阻的(de)溫(wen)(wen)度計(ji)(ji)算得到(dao)，可(ke)以(yi)通(tong)過下式(shi)計(ji)(ji)算溫(wen)(wen)度T2時(shi)的(de)NTC電阻(zu)值(zhi)

根據實際測量的NTC電阻R2的(de)值(zhi)，溫度T2的(de)值(zhi)可(ke)由下(xia)式計算

電阻的(de)最大相對偏差(cha)由定(ding)義(yi)在100度(du)下(xia)的(de)ΔR/R值來表示。為了避(bi)免NTC的(de)自(zi)加熱，NTC自(zi)身(shen)的(de)功耗需要(yao)被限定(ding)。為了限定(ding)NTC的(de)自(zi)身(shen)溫升不超過最大允許值1K，通過NTC的(de)電流可以由下(xia)式計(ji)算。

為了更(geng)精(jing)確(que)地計(ji)算(suan)NTC的(de)(de)電阻(zu)及(ji)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)值(zhi)(zhi)，需要不(bu)同的(de)(de)B值(zhi)(zhi)。B值(zhi)(zhi)取決于于所考慮的(de)(de)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)范圍(wei)。25度(du)(du)(du)(du)(du)到100度(du)(du)(du)(du)(du)為最(zui)常見溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)范圍(wei)，因此會使(shi)用B25/100的(de)(de)值(zhi)(zhi)。在較低的(de)(de)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)范圍(wei)內，可以使(shi)用B25/80或(huo)B25/50的(de)(de)值(zhi)(zhi)，這樣會在較低的(de)(de)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)范圍(wei)內計(ji)算(suan)的(de)(de)電阻(zu)值(zhi)(zhi)更(geng)精(jing)確(que)。

B-values of the NTC-thermistor

采(cai)用(yong)NTC的(de)(de)溫度測(ce)量方式(shi)不(bu)適用(yong)與(yu)短路(lu)檢(jian)測(ce)或短時(shi)間內(nei)過載檢(jian)測(ce)，可以用(yong)來當長時(shi)間的(de)(de)過載條件下運(yun)行或者冷卻系(xi)統故障時(shi)保(bao)護模塊。

其中：B25/50=3375K，R1=5KΩ,T1=298K,
T2是檢測溫度(開(kai)氏溫標)，R2在T2溫度時NTC的阻值。