芯(xin)片電容(rong)是電路中最基本的(de)元(yuan)件(jian)之一(yi),有著重要而廣(guang)泛的(de)應用(yong)。按芯片電容(rong)的應(ying)用來分類(lei),電容基本上可分為四種類型:交流耦合,阻斷直流(liu)僅讓信號成分(交流(liu)電流(liu))通過;去耦,對頻率高的噪聲成份起到旁路(lu)作用,去耦芯片電容也被稱作(zuo)旁路電容器;無源(yuan)和有源(yuan)的(de)RC選(xuan)頻和濾波(bo)網絡(luo);采(cai)樣保(bao)持(chi)電路(捕獲和儲存電荷)和模擬積分器。
現在,高速(su)和高密度已經成為當(dang)今電子(zi)產品重(zhong)要的發展趨勢之(zhi)一。對芯片電容而言(yan),最基本的要求是高頻性能優秀且所占用的空間小。在各(ge)類片式電容器各類中,用于彩(cai)電、收錄機等的片式(shi)電容,其(qi)低頻特征尚可,但(dan)在用(yong)于800MHZ以(yi)上的(de)工(gong)作頻(pin)(pin)率時,其微波損(sun)耗較大。在2GHZ以(yi)上頻(pin)(pin)率工(gong)作時,其頻(pin)(pin)率溫度漂移(yi)將嚴重(zhong)影響電(dian)路的(de)穩定性。有(you)些由(you)多(duo)層(ceng)獨石陶(tao)瓷(ci)介質疊合而組(zu)成的(de)多(duo)層電容,在(zai)較高頻率工作時,還會引(yin)起附加的電感過大,從(cong)而影(ying)響電路的性能。由此,應運而生了微波單層(ceng)陶瓷(ci)芯片電容,其自諧振頻率有的(de)已經高達十幾甚至(zhi)幾十個GHZ。
微波單(dan)層陶(tao)瓷芯片電(dian)容一般被廣泛應用在微(wei)波集成電路中,電極層通常以鈦化(hua)鎢做金(jin)屬基底(di)層。因為其對陶(tao)瓷有極強的(de)附著力(li)及良(liang)好的(de)阻擋性(xing)能(neng),以防止金(jin)擴(kuo)散到陶(tao)瓷上,提高了芯(xin)片電容(rong)的耐溫性能。同時,利用薄膜(mo)技術鍍(du)金,為芯(xin)片電(dian)容提供了良好的(de)焊接點及電氣性能。微波單層(ceng)陶瓷芯片電(dian)容具有尺寸小(xiao)、厚度薄、等效串聯電阻低(di)、損(sun)耗低(di)的(de)優點,應用頻率可(ke)達(da)數GHZ,適用于小型、微(wei)波的場合,還可應用(yong)于微(wei)波集成電路中,起到隔直、RF旁路、濾(lv)波、調諧等作用。
廣東愛(ai)晟電子(zi)科(ke)技有限公司使用的芯片電容(rong)陶瓷基片(pian)為(wei)自(zi)已研制、設計(ji)和生產,可以為(wei)客戶(hu)提供任意面積和厚(hou)度的芯片(pian)電容產品。
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