在電子線路中,陶瓷芯片電(dian)容(rong)是用于通過交流而阻隔直流,也用來存儲和釋放電荷以充當濾波器,平滑輸出脈動信號。廣東愛晟電子科技有限公司生產的單(dan)層(ceng)芯片電容(SLC),具有尺寸小、厚度薄(厚度一般為(wei)0.15~0.5mm)、損耗(hao)低等(deng)優(you)點,可(ke)根據客戶的要求(qiu)定制不同的尺寸及參數(shu)。
今天,為大家介紹(shao)一種陶(tao)瓷芯片電容(rong)的制(zhi)作方法。這種(zhong)方法,能使(shi)單位面積的電容(rong)增(zeng)加,陶瓷電介質層更薄,可達0.0005英寸左右。與同類技術中有類似尺寸的芯片電容比較,通過這種方法制作的電容具有更高的溫度特(te)性以及更低的損(sun)耗。
電極的制備
將(jiang)52pbw 的細(1 微(wei)米)鉑粉和 22pbw 電介質粉混合成(cheng)26pbw乙基纖維素飽和溶液。
“綠色”電(dian)介質(zhi)帶(dai)材料的制備
將以下的材料在1000cc的瓷質研磨罐中混合:
96g聚(ju)乙(yi)烯醇
6.6g三乙二醇
0.6g表(biao)面活性劑
1.2g 冰醋酸
150g電介(jie)質粉末
46.5g蒸餾水
用輥壓機以100轉/分鐘(zhong)的速度(du)將以上材(cai)料混合48小時(shi)。
電解質帶的(de)制作
1. 將材料放到(dao)抽真(zhen)空機器(qi)中(zhong),打開抽氣泵抽真(zhen)空, 脫氣(操作泵)30分鐘(zhong)
2. 將(jiang)刮(gua)片設置為(wei) 0.001,以 0.75 英(ying)寸/秒(miao)的速度澆(jiao)鑄聚丙烯(xi)薄膜,允許干燥
3. 剝下電解質帶(dai)。
芯片(pian)電容的制作(zuo)
1、將綠色電(dian)介質帶切成2乘以2英(ying)寸的小塊
2、在80℃的烤箱中干燥4小時(shi)
3、在可編程的烤爐中按照如下(xia)步驟燒結:
a. 將室(shi)溫(wen)溫(wen)度以每分鐘2華氏度的速度,從室(shi)溫(wen)升至(zhi)2375華氏(shi)度
b. 在 2375 華氏(shi)度下保(bao)持2小時
c. 關閉烤爐,在封閉的爐子中冷卻(que)至室(shi)溫
4、按照(zhao)以下(xia)配比用金屬(shu)濺射的方法為(wei)芯(xin)片(pian)電容鍍(du)上金層:
a. 10微英(ying)寸鈦鎢合金(jin)
b. 30微英寸鎳(nie)
c. 80微英寸金
d. 按照指定的芯片尺寸(cun)將芯片(pian)電(dian)容切片
參考數據:
SINGLE LAYER ELECTRONIC CAPACTORS WITH VERY THIN DIELECTRICS AND METHODS TO PRODUCE SAME
US 6, 690, 572 B2
Inventor: Larry A. Liebowitz, 129 Adirondack
Ave., Spotswood, NJ (US) 08884
Notice: Subject to any disclaimer, the term of patent is extended or adjusted under 35 U.S.C. 154(b) by 0 days.
Appl. No.: 10/090,816
Filed: Mar. 6, 2002
Prior Publication Data
US 2003/0169555 A1 Sep. 11, 2003
Int. Cl.7 ............................. H01G 4/06; H01G 4/00
U.S. Cl. ............................. 361/311; 361/303
Field of search ............................. 361 /301.4, 303-305, 361/311-313, 320,321.1-321.5
References Cited
U.S. PATENT DOCUMENTS
3, 689, 810 A * 9/1972 Walles ........................ 361/305
3, 882, 059 A * 5/1975 Elderbaum ................. 29/25.42
5, 254, 360 A *10/1993 Crownover et al. .......... 427/79
5, 737, 180 A * 4/1998 Yoo ............................. 361/313
6, 207, 522 B1 * 3/2001 Hunt et al. .................... 438/393
6, 366, 443 B1 4/2002 Devoe et al. ..................... 361/313
6, 433, 993 B1 * 8/2002 Hunt et al. ..................... 361/303
FOREIGN PATENT DOCUMENTS
P-2000-327964 A * 11/2000
cited by examiner
Primary Examiner - Dean A. Reichard
Assistant Examiner - Eric Thomas
Attorney, Agent, or Firm - Leonard Cooper
上一篇 : 單層芯片電容SLC的發展歷史
下一篇 : 多層芯片電容