近年來，在國家相關政策支持下，應用于新能源領域的功率模塊迎來了增長新契機。而SiC碳化硅模塊以其卓越性能，成為新能源核心賽道的“佼佼者”。碳化硅模塊的性能提升對于新能源熱管理優化至關重要，而廣東愛晟電子科技有限公司研發、量產的打線門極電阻，在碳化硅模塊性能升級過程中的作用不可或缺。

相較于(yu)傳(chuan)統的(de)功(gong)率模(mo)塊，SiC碳(tan)化(hua)硅模(mo)塊憑借其(qi)寬禁帶(dai)在高頻率、高電(dian)流、高溫、高壓等工作環(huan)境(jing)中(zhong)展現出高擊穿場(chang)強、低功(gong)率損耗、高開(kai)關頻率等優越性能(neng)。由于(yu)新能(neng)源(yuan)對(dui)于(yu)功(gong)率模(mo)塊有(you)著更高的(de)性能(neng)要求，打線門極(ji)電(dian)阻能(neng)夠幫助(zhu)碳(tan)化(hua)硅模(mo)塊提高工作效率，迎(ying)合行業需(xu)求。其(qi)主(zhu)要優勢在于(yu)：

一、低電阻溫度系數（TCR，Temperature Coefficient Of Electric Resistance）：這意味著在溫度波動環境下，打線門極電阻的電阻值受溫度影響小，這對于需要穩定運行的碳化硅模塊尤為重要；

二、高(gao)精度：打線門極電阻的精度可達(da)1%，有(you)助于提升(sheng)碳化硅模塊(kuai)運行時的精確(que)度；

三、高穩定：打線門極電阻在高溫環境下的老化漂移率低，保證了碳化硅模塊長期工作的高可靠。

具體地，打線門極電阻在碳化硅模塊中通過邦定工藝與SiC芯片進行電連接，有效消除導通時源極電感對柵極電壓的影響，碳化硅模塊不會因此降低開關導通速度，從而可減少導通損耗。且門極電阻尺寸小，在模塊設計布局中能夠提高空間利用率，使功率密度更高。打線門(men)極電(dian)阻憑借其出色的產品特性，為碳化硅模塊的設計和性能優化提供了有力的支持。