近年來，隨著新能源汽車市場銷售額的持續增長，SiC碳化硅模塊因其適用于高頻率、高功率密度的工作場景，逐漸成為各大廠商加速新能源創新的首選。為輔助廠商更好地完善碳化硅模塊設計，廣東愛晟電子科技有限公司推出了DR系列打線門極(ji)電(dian)阻，助力模塊解鎖高可靠性能。

與(yu)傳(chuan)統(tong)的(de)硅基材料相比(bi)，碳化(hua)硅模塊(kuai)能(neng)夠承受更高(gao)的(de)工作溫度和更高(gao)的(de)電壓(ya)，打(da)線門極電阻(zu)的(de)加入(ru)，能(neng)夠為模塊(kuai)帶來顯著(zhu)的(de)性能(neng)提升。具體如下：

一(yi)、提高開關速度

通過打(da)線門極電(dian)阻(zu)與碳化硅(gui)模(mo)塊內部SiC芯片的(de)電(dian)連接，能(neng)夠(gou)有(you)效降低柵極驅動回(hui)路的(de)電(dian)感，提(ti)(ti)高碳化硅(gui)模(mo)塊的(de)開(kai)關速度(du)。而開(kai)關速度(du)的(de)提(ti)(ti)升，則有(you)助于減少功率轉換過程中(zhong)的(de)能(neng)量(liang)損失(shi)，提(ti)(ti)高設備(bei)的(de)整(zheng)體效率。

二、提(ti)升功率密度

在碳化硅模塊的設計方案中設置門(men)極電(dian)阻，并結合其它元器件進行優化連接，在有限的空間內高效布局更多的功率器件，可大幅提升襯底利用率。這有助于滿足功率模塊設計中日益增長的小型化、密集化需求，推動其持續發展。

三、降低損耗

加入打線門極電(dian)阻(zu)，在消除源(yuan)極電(dian)感效(xiao)應(ying)的同時，顯著(zhu)提高(gao)開關速度。這(zhe)一綜合效(xiao)果使得碳化硅模塊的損耗大(da)幅度降(jiang)低(di)，不僅(jin)有助(zhu)于提升(sheng)設(she)備整體(ti)穩定(ding)性，還有助(zhu)于延長模塊的使用壽命。

愛(ai)晟電(dian)(dian)子研發、量產的SiC碳(tan)化硅(gui)模塊用打線(xian)門極(ji)電(dian)(dian)阻，具有電(dian)(dian)阻溫度系數（TCR，Temperature Coefficient Of Electric Resistance）低的特(te)點，有利于推進碳(tan)化硅(gui)模塊的高能效發展。而且(qie)門極(ji)電(dian)(dian)阻有水(shui)平導通及垂直導通兩種結構，客戶可根(gen)據SiC碳(tan)化硅(gui)模塊不(bu)同(tong)的安裝(zhuang)要求進行選擇。同(tong)時，由于打線門極電阻的功能區均被保護(hu)在電阻(zu)內部，因此其(qi)可靠性也(ye)具備一定(ding)優勢(shi)。