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打線門極電阻,SiC碳化硅模塊功率提高的推手
發布者 : admin 發布時間 : 2024/08/21 09:08:10


隨著電動汽車領域的快速發展,SiC碳化硅模塊作為電力電子系統的核心組件,其性能直接關系到系統的效率、可靠性和成本。為助力碳化硅模塊進行有效且安全的工作,打線門極電阻會被安裝于其中以均衡電流,防止異常電流對模塊造成損害。

打線(xian)(xian)門極電阻(zu)不(bu)僅影響著碳(tan)(tan)化硅模(mo)塊的開關速度(du),還會(hui)影響開關過(guo)(guo)程中的能量損耗和模(mo)塊的熱管理(li)(li)。因此,合理(li)(li)設(she)計(ji)門極電阻(zu)的位置對提升(sheng)整個碳(tan)(tan)化硅模(mo)塊的效率至關重要。打線(xian)(xian)門極電阻(zu)一般被安裝于模(mo)塊的導(dao)電區中,并(bing)通過(guo)(guo)邦定工藝與芯片(pian)進行電連接(jie)以(yi)實現并(bing)聯(lian),滿足(zu)模(mo)塊電流控制需求。在電路設(she)計(ji)中加(jia)入門極電阻(zu),可幫助碳(tan)(tan)化硅模(mo)塊:

一、降(jiang)低開關(guan)(guan)損耗(hao):結合模塊內(nei)部其它(ta)組件(jian),減少(shao)柵極驅動回(hui)路中的源(yuan)極電感,有助于降(jiang)低開關(guan)(guan)過程中產生的損耗(hao),延長(chang)模塊的使用壽命;

二、提(ti)高開關(guan)速度:利用打線門極電(dian)阻進(jin)行合(he)理電(dian)路布局,有助(zhu)于模塊提(ti)高整體的功率輸出能力;

三、增強功率密度:門(men)極電(dian)阻(zu)為模塊帶來更高的基片利用空間,有助于模塊的小型化設計。

基于上(shang)述打(da)(da)線(xian)門(men)極電阻在(zai)碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)模(mo)(mo)(mo)塊中的(de)作用,廣東(dong)愛(ai)晟(sheng)電子(zi)科技(ji)有限公司專門(men)為(wei)(wei)碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)模(mo)(mo)(mo)塊廠商研(yan)發、量產了DR系列(lie)碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)模(mo)(mo)(mo)塊用打(da)(da)線(xian)門(men)極電阻,助力(li)碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)模(mo)(mo)(mo)塊性能提(ti)升。愛(ai)晟(sheng)電子(zi)生(sheng)產為(wei)(wei)迎合客戶不(bu)同(tong)的(de)安(an)裝場(chang)景,將打(da)(da)線(xian)門(men)極電阻分為(wei)(wei)垂直式導通與水平式導通,為(wei)(wei)客戶在(zai)型號選擇(ze)上(shang)提(ti)供便利。此(ci)外,門(men)極電阻還具有以下優點(dian):

一、高(gao)精度,輔助碳化硅模塊進行更(geng)精確的電流傳輸工作;

二、耐受長時間高溫焊接,幫助模塊在(zai)高溫環境下仍能穩(wen)定運作;

三、可邦定、銀燒結(jie),客戶能(neng)夠(gou)根據(ju)自身(shen)需(xu)求選(xuan)擇合適的焊接方(fang)式。

打線門極電阻與碳化硅模塊內部其它組件相輔相成,不僅有效提高模塊的電流傳輸能力、平衡開關損耗與導通損耗,還增強了其應對復雜工況的能力。隨著碳化硅技術的不斷進步,未來愛晟電子也將持續改善打線門(men)極電阻的設計,更加注重其與碳化硅模塊整體架構的協同優化,以滿足模塊對更高效率和更小體積的需求。